Graphene integration with nitride semiconductors for high power and high frequency electronics

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Graphene integration with nitride semiconductors for high power and high frequency electronics

N.B.: When citing this work, cite the original publication. Giannazzo, F., Fisichella, G., Greco, G., La Magna, A., Roccaforte, F., Pecz, B., Yakimova, R., Dagher, R., Michon, A., Cordier, Y., (2017), Graphene integration with nitride semiconductors for high power and high frequency electronics, Physica Status Solidi (a) applications and materials science, 214(4). https://dx.doi.org/10.1002/pss...

متن کامل

Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics.

Graphene devices on standard SiO(2) substrates are highly disordered, exhibiting characteristics that are far inferior to the expected intrinsic properties of graphene. Although suspending the graphene above the substrate leads to a substantial improvement in device quality, this geometry imposes severe limitations on device architecture and functionality. There is a growing need, therefore, to...

متن کامل

High Frequency Electronics High Frequency Design RF POWER AMPLIFIERS

RF and microwave power amplifiers and transmitters are used in a wide variety of applications including wireless communication, jamming, imaging, radar, and RF heating. This article provides an introduction and historical background for the subject, and begins the technical discussion with material on signals, linearity, efficiency, and RF-power devices. At the end, there is a convenient summar...

متن کامل

emittance control in high power linacs

چکیده این پایان نامه به بررسی اثر سیم پیچ مغناطیسی و کاوه یِ خوشه گر با بسامد رادیویی بر هاله و بیرونگراییِ باریکه هایِ پیوسته و خوشه ایِ ذرات باردار در شتابدهنده های خطیِ یونی، پروتونی با جریان بالا می پردازد و راه حل هایی برای بهینه نگهداشتن این کمیتها ارایه می دهد. بیرونگرایی یکی از کمیتهای اساسی باریکه هایِ ذرات باردار در شتابدهنده ها است که تاثیر قابل توجهی بر قیمت، هزینه و کاراییِ هر شتابدهند...

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: physica status solidi (a)

سال: 2016

ISSN: 1862-6300

DOI: 10.1002/pssa.201600460